Parçeyên Elektronîkî Çîpên IC Circuitên Yekgirtî IC TPS74701QDRCRQ1 yek cih bikirin

Têkiliya di navbera wafers û chips de

Berhevoka wafers

Ji bo têgihîştina pêwendiya di navbera wafer û çîpê de, ya jêrîn li ser hêmanên sereke yên zanîna wafer û çîpê ye.

(i) Wafer çi ye

Wafer waferên silicon in ku di hilberîna şebekeyên yekbûyî yên nîvconductor yên silicon de têne bikar anîn, ku ji ber şiklê xwe yê dorhêl jê re wafer tê gotin;ew dikarin li ser waferên silicon bêne hilberandin da ku cûrbecûr pêkhateyên çerxê ava bikin û bibin hilberên hevgirtî yên bi fonksiyonên elektrîkî yên taybetî.Madeya xam a waferan silicon e û li ser rûyê qaşilê dinyaye sîlkondîoksîteke bêdawî heye.Zêdeka silicon dioksîtê di firneyên kemera elektrîkê de tê rafînekirin, bi asîda hîdrochlorîk tê klorandin û tê rijandin da ku polîsîlîkonek paqijiya bilind bi paqijiya 99,999999999999% hilberîne.

(ii) Materyalên xav ên bingehîn ji bo wafers

Silicon ji qûma quartz tê paqij kirin û wafer ji hêmana silicon (% 99,999) têne paqij kirin, ku dûv re di nav darên silicon de têne çêkirin ku dibin materyalê nîvconduktorên quartzê yên ji bo çerxên yekbûyî.

(iii) Pêvajoya çêkirina wafer

Wafer madeya bingehîn e ji bo çêkirina çîpên nîvconductor.Madeya xav a herî girîng a ji bo çerxên yekbûyî yên nîvconductor silicon e û ji ber vê yekê bi waferên silicon re têkildar e.

Silicon bi berfirehî di xwezayê de di forma silicates an silicon dioxide di kevir û zozanan de tê dîtin.Çêkirina waferên silicon dikare di sê gavên bingehîn de were kurt kirin: paqijkirin û paqijkirina silicon, mezinbûna silicon yek krîstal, û avakirina wafer.

Ya yekem paqijkirina silicon e, ku li wir madeya xav a qûm û gewriyê di germahiya 2000 °C de û li ber çavkaniyek karbonê tê xistin firna kemera elektrîkê.Di germahiyên bilind de, karbon û dîoksîta siliconê ya di qûm û çolê de reaksiyonên kîmyayî derbas dikin (karbon bi oksîjenê re tevdigere, silicon dihêle) ji bo bidestxistina silicona paqij bi paqijiya nêzîkî 98%, ku wekî silicon pola metalurjîk jî tê zanîn, ku ne tê zanîn. ji bo amûrên mîkroelektronîk têra xwe paqij e ji ber ku taybetmendiyên elektrîkî yên materyalên nîvconductor ji berhevkirina nepakîyan pir hesas in.Ji ber vê yekê pola metallurgîkî ya Metallurgical e: Silicon-a metallurgical a pelçiqandî ya ku ji hêla sêvê ve tê veqetandin, ku ji hêla pêvajoyek ku polycrystalline silicon ve hatî çêkirin, bi paqijiya 99.9999999999 %, ku dibe silicon pola elektronîkî.

Piştre mezinbûna siliconê monokrîstal tê, rêbaza herî gelemperî ku jê re rasterast kişandin (rêbaza CZ) tê gotin.Wekî ku di diagrama jêrîn de tê xuyang kirin, polîsîlîkona paqij-paqij di nav quartzek quartz de tê danîn û bi germahiyek grafîtê ku li derûdora wê dorpêç dike bi domdarî tê germ kirin, germahiyê bi qasî 1400 °C diparêze.Gaza di firnê de bi gelemperî bêserûber e, dihêle ku polysilicon bêyî çêkirina reaksiyonên kîmyewî yên nedilxwaz bihele.Ji bo avakirina krîstalên yekane, arastekirina krîstalan jî tê kontrol kirin: xaç bi helîna polîsîlîkonê ve tê zivirandin, krîstalek tovê tê de tê rijandin, û çîpek xêzkirinê berevajî tê hilanîn dema ku hêdî hêdî û ber bi jor ve ji qurmê ber bi jor ve dikişîne. silicon dihele.Polîsîlîkona helandî bi binê krîstala tovê ve girêdide û ber bi jor ve ber bi rêza tîrêjê ya krîstala tovê mezin dibe.