XC7K160T-1FBG676I XC7K160T-1FBG676I Envantera XC7K160T ya Nû
Taybetmendiyên Hilberê
| AWA | TERÎF |
| Liq | Circuits a Integrated (IC) |
| Mfr | AMD Xilinx |
| Doranî | Kintex®-7 |
| Pakêt | Temsîk |
| Rewşa hilberê | Jîr |
| Hejmara LABs / CLBs | 12675 |
| Hejmara hêmanên mantiqî / şaneyan | 162240 |
| Bi tevahî RAM Bits | 11980800 |
| Hejmara I/O | 400 |
| Voltage - Dabînkirin | 0,97V ~ 1,03V |
| Mounting Type | Çiyayê Rûyê |
| Germahiya xebitandinê | -40°C ~ 100°C (TJ) |
| Pakêt / Case | 676-BBGA, FCBGA |
| Supplier Device Package | 676-FCBGA (27×27) |
| Hejmara Hilbera Bingehîn | XC7K160 |
Çewtiya Agahdariya Hilberê rapor bikin
Binêre Wekhev
Belge & Medya
| TÎPÊ ÇAVKANÎ | GIRÊK |
| Datasheets | Daneyên Kintex-7 FPGAs |
| Modulên Perwerdehiya Hilberê | Hêzdarkirina Series 7 Xilinx FPGA bi Çareseriyên Rêvebiriya Hêza TI re |
| Agahiyên Jîngehê | Xiliinx RoHS Cert |
| Hilbera Taybetmendî | Rêzeya TE0741 bi Xilinx Kintex®-7 |
| PCN Design / Specification | Daxuyaniya Xaç-Şipê Bê Serî 31/Kewt/2016 |
| Daneyên HTML | Kurteya Kintex-7 FPGA |
Tesnîfkirinên Jîngeh & Export
| ATTRIBUTE | TERÎF |
| Rewşa RoHS | ROHS3 Compliant |
| Asta hestiyariyê (MSL) | 4 (72 Saet) |
| Rewşa REACH | REACH Bêbandor |
| ECCN | 3A991D |
| HTSUS | 8542.39.0001 |
Çîroka entegre
Dormek yekbûyî an çerxa yekbûyî ya yekbûyî (ku wekî IC, çîp, an mîkroçîp jî tê binav kirin) komek e.çerxên elektronîkli ser perçeyek piçûk (an "çîp") yasemiconductormateryal, bi gelemperîsilicon.Hejmarên mezinyên piçûkMOSFETs(metal-oksît-nîv gîhatransîstorên bandora zeviyê) di çîpek piçûk de entegre bibin.Ev di encamê de çerxên ku ji yên veqetandî hatine çêkirin bi rêzê piçûktir, bileztir û bihatir in.pêkhateyên elektronîk.IC'shilberîna girseyîşiyan, pêbawerî, û nêzîkatiya avahîsaziyêdesign circuit a entegrepejirandina bilez a IC-yên standardkirî li şûna sêwiranên ku veqetandî bikar tînin misoger kiriyetransîstor.IC naha hema hema di hemî alavên elektronîkî de têne bikar anîn û cîhana şoreşgerî kiriyeelektronîk.Computers,telefonên destaû yên dinalavên malênaha parçeyên neveqetandî yên avahîya civakên nûjen in, ku ji ber mezinahîya piçûk û lêçûna kêm a IC-yên wekî nûjen pêkan bûne.pêvajoyên komputerêûmîkrokontrolkeran.
Yekbûna pir mezinji hêla pêşkeftinên teknolojîk ve hate pratîk kirinmetal-oksît-silicon(MOS)çêkirina cîhaza nîvconductor.Ji destpêka wan di salên 1960-an vir ve, mezinahî, lez û kapasîteya çîpên pir bi pêş ve çûye, ku ji ber pêşkeftinên teknîkî yên ku her ku diçe zêdetir transîstorên MOS-ê li ser çîpên heman mezinahiyê bi cih dikin - dibe ku çîpek nûjen bi mîlyaran transîstorên MOS-ê hebe. qadeke bi qasî neynûka mirov e.Ev pêşketin, bi teybetî li dû xwe dihênqanûna Moore, bike ku çîpên kompîturê yên îroyîn xwedî kapasîteya bi milyonan qatî û bi hezaran carî leza çîpên kompîturê yên destpêka salên 1970yî bin.
IC li ser du avantajên sereke heneçerxên veqetandî: lêçûn û performansa.Lêçûn kêm e ji ber ku çîp, bi hemî pêkhateyên xwe ve, wekî yekîneyek têne çap kirinfotolîtografîji dêvla ku yek car transîstor were çêkirin.Wekî din, IC-yên pakkirî ji dorhêlên veqetandî pir kêmtir materyal bikar tînin.Performansa bilind e ji ber ku hêmanên IC-ê zû diguhezin û ji ber mezinahî û nêzikbûna wan piçûktir hêzek kêm dixwe.Kêmasiya sereke ya IC-an lêçûna bilind a sêwirana wan û çêkirina tiştên pêwîst ephotomasks.Ev lêçûna destpêkê ya bilind tê vê wateyê ku IC tenê dema ku ji hêla bazirganî ve guncan incildên hilberîna bilindtêne pêşbînîkirin.
Bêjezanî[weşandin]
Ançerxa entegrewiha tê pênasekirin:[1]
Qarkek ku tê de hemî an hin hêmanên çerxerê bi hev ve girêdayî ne û ji hêla elektrîkê ve bi hev ve girêdayî ne, lewra ji bo mebestên avakirin û bazirganiyê nayê dabeş kirin.
Circuits ku bi vê pênase re peyda dibin dikarin bi karanîna gelek teknolojiyên cihêreng, di nav de, werin çêkirintransîstorên tenik,teknolojiyên stûr-film, ançerxên yekbûyî yên hybrid.Lêbelê, di karanîna gelemperî deçerxa entegrehatiye ji bo avakirina circuit yek-parçe bi eslê xwe bi navê açerxa entegre ya monolîtîk, pir caran li ser yek perçeyek silicon ava kirin.[2][3]
Dîrok
Hewldanek destpêkê ya berhevkirina çend pêkhateyan di yek amûrekê de (mîna IC-yên nûjen) bûLoewe 3NFlûleya valahiya ji salên 1920î.Berevajî IC-an, ew bi mebesta hatî çêkirindûrketina bacê, wek li Almanyayê, li wergirên radyoyê bacek hebû ku li gorî çend xwediyên lûleyê yên wergirê radyoyê hebûn.Ew destûr da ku wergirên radyoyê xwediyê yek boriyek yekane bin.
Têgehên destpêkê yên çerxa yekbûyî vedigerin sala 1949-an, dema ku endezyar AlmanWerner Jacobi[4](Siemens AG)[5]patentek ji bo amûrek bihêzkirina nîvconduktorê ya yekbûyî-mîna çerxa yekbûyî tomar kir[6]pênc nîşan didetransîstorli ser substratek hevpar di sê qonax degeşkerferman.Jacobi piçûk û erzan eşkere kiramûrên bihîstinêwekî serîlêdanên pîşesazî yên tîpîk ên patenta wî.Bikaranîna bazirganî ya tavilê ya patenta wî nehatiye ragihandin.
Pêşniyarek din a destpêkê ya konseptê bûGeoffrey Dummer(1909–2002), zanyarekî radarê ku ji bo kar dikeAvakirina Radar Royalya BrîtanîWezareta Parastinê.Dummer di Sempozyûma Pêşkeftina Pêkhateyên Elektronîkî yên Qalîteyê de ev raman ji raya giştî re pêşkêş kir.Washington, DCdi 7 Gulan 1952 de.[7]Wî gelek sempozyûm bi raya giştî re da ku ramanên xwe belav bike û bi ser neket hewl da ku di sala 1956-an de cîhek weha ava bike. Di navbera 1953 û 1957 de,Sidney Darlingtonû Yasuo Tarui (Laboratory Electrotechnical) sêwiranên çîpê yên wekhev pêşniyar kirin ku çend transîstor dikarin herêmek çalak a hevpar parve bikin, lê tune bûîzolekirina elektrîkêku wan ji hev veqetînin.[4]
Çîpa yekpare ya yekbûyî ji hêla îcadên wê ve hate çalak kirinpêvajoya plankirîjiJean Hoerniûp-n îzolekirina girêdanêjiKurt Lehovec.Dahênana Hoerni li ser hate avakirinMohamed M. AtallaXebata 's li ser pasîvasyona rûyê erdê, û hem jî xebata Fuller û Ditzenberger li ser belavkirina nepakiyên boron û fosforê di nav silicon de,Carl Froschû xebata Lincoln Derick li ser parastina rûyê erdê, ûChih-Tang Sah's li ser maskkirina belavbûnê ji hêla oksîdê ve dixebite.[8]
