Analîza têkçûna çîpê IC

Analîza têkçûna çîpê IC,ICçerxên yekbûyî yên çîpê nikarin di pêvajoya pêşkeftin, hilberandin û karanîna de ji têkçûnên dûr bisekinin.Bi baştirkirina hewcedariyên mirovan ji bo kalîte û pêbaweriya hilberê, xebata analîzkirina têkçûnê her ku diçe girîngtir dibe.Bi analîza têkçûna çîpê, çîpa IC ya sêwiranan dikare di sêwiranê de kêmasiyan, nakokiyên di parametreyên teknîkî de, sêwirandin û xebitandina nerast, hwd.. Girîngiya analîza têkçûnê bi giranî di vê yekê de diyar dibe:

Bi berfirehî, girîngiya sereke yaICAnalîza têkçûna çîpê di aliyên jêrîn de tê destnîşan kirin:

1. Analîza têkçûnê navgîn û rêbazek girîng e ji bo destnîşankirina mekanîzmaya têkçûna çîpên IC.

2. Analîzkirina xeletiyê ji bo teşhîsa xeletiya bi bandor agahdariya pêwîst peyda dike.

3. Analîza têkçûnê ji endezyarên sêwiranê re pêşkeftin û başkirina sêwirana çîpê domdar peyda dike da ku hewcedariyên taybetmendiyên sêwiranê bicîh bîne.

4. Analîza têkçûnê dikare bandora nêzîkatiyên ceribandinê yên cihêreng binirxîne, ji bo ceribandina hilberînê pêvekên pêwîst peyda bike, û ji bo xweşbînkirin û verastkirina pêvajoya ceribandinê agahdariya pêwîst peyda bike.

Pêngavên sereke û naveroka analîza têkçûnê:

◆ Vekêşana çerxa entegre: Dema ku çerxa yekbûyî radikin, yekparebûna fonksiyona çîpê biparêzin, mirin, pêlav, têlên girêdan û hetta çarçoweya lîderê biparêzin, û ji bo ceribandina analîza betalkirina çîpê ya din amade bikin.

◆Analîzkirina pêkhateya neynika SEM / EDX: analîza avahiya materyalê / çavdêriya kêmasiyê, analîza mîkro-herêma kevneşopî ya pêkhatina elementê, pîvandina rast a mezinahiya kompozîsyonê, hwd.

◆ Testa sondajê: Nîşana elektrîkê di hundurê deICdikare bi lez û bez bi riya mîkro-sondê were bidestxistin.Laser: Mîkro-lazer ji bo qutkirina qada taybetî ya jorîn a çîp an têlê tê bikar anîn.

◆ Tespîtkirina EMMI: Mîkroskopa kêm-ronahiya EMMI amûrek analîzkirina xeletiya bikêrhatî ye, ku rêbazek cîhê xeletiya hestiyar û ne-hilweşîner peyda dike.Ew dikare ronahiya pir qels (xuya û nêzê-infrasor) tespît bike û herêmî bike û herikên lehiyê yên ku ji ber kêmasî û anomaliyên di pêkhateyên cihêreng de çêdibin, bigire.

◆Serlêdana OBIRCH (testa guhertina nirxa impedansê ya bi tîrêjê lazerê): OBIRCH bi gelemperî ji bo analîza bilind-impedans û kêm-impedansa hundurîn tê bikar anîn. ICçîp, û analîza riya leaksiyonê ya xetê.Bi karanîna rêbaza OBIRCH, kêmasiyên di çerçoveyan de dikarin bi bandor werin cîh kirin, wek kunên di rêzan de, kunên di binê kun de, û deverên berxwedanê yên bilind ên li binê qulikan.Pêvekên paşê.

◆ Tespîtkirina xala germ a ekrana LCD: Dîmena LCD bikar bînin da ku lihevhatina molekulî û ji nû ve organîzekirina li xala rijandinê ya IC-ê tesbît bike, û wêneyek şeklê lekeyek ji deverên din ên di binê mîkroskopê de cihêreng nîşan bide da ku xala levkirinê bibîne (xala xeletiyê ji 10mA) ku dê sêwiranerê di analîza rastîn de tengas bike.Xalkirina çîpê xala sabît/ne-xala sabît: Kulîlkên zêr ên ku li ser Pad-a çîpa ajokera LCD-ê hatine çandin rakin, da ku Pad bi tevahî zerar nebe, ev yek ji bo analîz û ji nû ve girêdana paşîn dibe alîkar.

◆ Testkirina ne-hilweşînker a X-Ray: Di nav de kêmasiyên cihêreng tespît bikin ICPakêkirina çîpê, wek pelçiqandin, teqandin, valahî, yekparebûna têl, PCB dibe ku di pêvajoya çêkirinê de hin kêmasiyên xwe hebin, wek hevrêzî an pira belengaz, çerxa vekirî, kurtecivîn an anormalî Kêmasiyên di girêdanan de, yekitiya topên firoştinê yên di pakêtan de.

◆SAM (SAT) vedîtina xeletiya ultrasonîk dikare bi ne-hilweşînerî strukturê di hundurê de destnîşan bikeICpakêta çîpê, û bi bandor zirarên cihêreng ên ku ji ber şilbûn û enerjiya germê ve têne tesbît kirin, wek xêzkirina rûbera waferê, O topên firandinê, wafer an dagîrkeran valahiyên materyalê pakkirinê, porên di hundurê materyalê pakkirinê de, kunên cihêreng ên wekî rûkên girêdana waferê hene. , topên firoştinê, dagirtin, hwd.