AQX IRF7416TRPBF Circuit ic chip IRF7416TRPBF ya nû û orîjînal
Taybetmendiyên Hilberê
| AWA | TERÎF |
| Liq | Berhemên Semiconductor Veqetandî |
| Mfr | Teknolojiyên Infineon |
| Doranî | HEXFET® |
| Pakêt | Tape & Reel (TR) Kasêta Birîn (CT) Digi-Reel® |
| Rewşa hilberê | Jîr |
| Tîpa FET | P-Channel |
| Teknolocî | MOSFET (Oksîdê Metal) |
| Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss) | 30 V |
| Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 5.6A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250 μA |
| Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs | 92 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 25 V |
| Taybetmendiya FET | - |
| Belavkirina hêzê (Max) | 2.5W (Ta) |
| Germahiya xebitandinê | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Çiyayê Rûyê |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Pakêt / Case | 8-SOIC (0,154 ″, 3,90mm Firehiya) |
| Hejmara Hilbera Bingehîn | IRF7416 |
Belge & Medya
| TÎPÊ ÇAVKANÎ | GIRÊK |
| Datasheets | IRF7416PbF |
| Belgeyên din ên têkildar | Pergala Hejmara Beşa IR |
| Modulên Perwerdehiya Hilberê | Circuits a Integrated Voltage High (Ajokerên Deriyê HVIC) |
| Hilbera Taybetmendî | Pergalên Pêvajoya Daneyê |
| Daneyên HTML | IRF7416PbF |
| Modelên EDA | IRF7416TRPBF ji hêla Pirtûkxaneya Ultra ve |
| Modelên Simulasyonê | IRF7416PBF Model Saber |
Tesnîfkirinên Jîngeh & Export
| ATTRIBUTE | TERÎF |
| Rewşa RoHS | ROHS3 Compliant |
| Asta hestiyariyê (MSL) | 1 (Bêsînor) |
| Rewşa REACH | REACH Bêbandor |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Çavkaniyên Additional
| ATTRIBUTE | TERÎF |
| Navên din | IRF7416TRPBFDKR SP001554262 IRF7416TRPBFCT IRF7416TRPBF-ND IRF7416TRPBFTR |
| Pakêta Standard | 4000 |
IRF7416
Feydeyên
Struktura hucreya plankirî ji bo SOA-ya berfireh
Ji bo hebûna herî berfireh ji hevkarên belavkirinê xweşbîn kirin
Qalîteya hilberê li gorî standarda JEDEC
Silicon ji bo serîlêdanên ku li jêr <100KHz diguhezin xweşbîn e
Pîşesaziya standard pakêta hêza rûber-çîyayî
Karîn ku bi pêlan ve were zeliqandin
-30V MOSFET Hêza Hêza HEXFET-P-Channel di pakêtek SO-8 de
Feydeyên
RoHS Compliant
RDS kêm (li ser)
Pîşesaziya-kalîteya pêşeng
Rêjeya dv/dt dînamîk
Fast Switching
Bi tevahî Avalanche Rated
175°C Germahiya xebatê
P-Channel MOSFET
Transistor
Transîstor aamûrê nîvconductoradet kirinxûrtkirinangûherrsînyalên elektrîkê ûerk.Transîstor yek ji blokên bingehîn ên avakirina modern eelektronîk.[1]Ew pêk têmaddî nîvconductor, bi gelemperî bi kêmanî sêtermînalanji bo girêdana bi çerxa elektronîkî.YEKwoltîanvêgali ser cotek termînalên transîstorê tê sepandin, niha bi cotek termînalên din ve kontrol dike.Ji ber ku hêza kontrolkirî (derketî) dikare ji hêza kontrolkirinê (derketinê) mezintir be, transîstorek dikare sînyalek zêde bike.Hin transîstor bi ferdî têne pak kirin, lê gelekên din di hundurê de têne dîtinçerxên entegre.
Awistro-Macarî fîzîknas Julius Edgar Lilienfeldtêgîna atransîstor-bandora zeviyêdi sala 1926 de, lê di wê demê de ne gengaz bû ku bi rastî amûrek xebitandinê were çêkirin.[2]Yekem amûra xebatê ya ku hatî çêkirin atransîstor xala-têkilîdi sala 1947an de ji aliyê fîzîknasên Amerîkî ve hatiye vedîtinJohn BardeenûWalter Brattaindema ku di bin de dixebitinWilliam ShockleybaBell Labs.Her sê 1956 parve kirinXelata Nobelê ya Fîzîkêji bo serkeftina wan.[3]Cûreya transîstorê ya ku herî zêde tê bikaranîn ew etransîstora zevî-bandora metal-oksît-nîvconductor(MOSFET), ku ji aliyêMohamed AtallaûDawon Kahngli Bell Labs di 1959 de.[4][5][6]Transîstor di warê elektronîk de şoreş kirin, û rê li ber piçûktir û erzantir vekirradios,calculators, ûkomputeran, di nav tiştên din de.
Piraniya transîstor ji pir paqij têne çêkirinsilicon, û hinek jigermanium, lê hin malzemeyên din ên nîvconductor carinan têne bikar anîn.Dibe ku transîstorek di transîstorek bi bandora zeviyê de tenê yek celeb hilgirê bargiran hebe, an jî dibe ku di nav de du celeb hilgirên barkirinê hebin.transîstora hevbendiya bipolarcîhazên.Li gorî yalûleya valahiya, transîstor bi gelemperî piçûktir in û ji bo xebitandinê kêmtir hêz hewce ne.Hin lûleyên valahiya di frekansên xebitandinê yên pir bilind an voltaja xebitandinê ya bilind de li ser transîstoran xwedî avantaj in.Gelek celeb transîstor ji hêla gelek hilberîner ve li gorî taybetmendiyên standardkirî têne çêkirin.
