order_bg

berhemên

MOSFET TDSON-8 BSC0902NSI ya orîjînal a nû ya nû

şiroveya kurt:


Detail Product

Tags Product

Taybetmendiyên Hilberê

AWA TERÎF
Liq Berhemên Semiconductor Veqetandî

Transîstor - FET, MOSFET - Yek

Mfr Teknolojiyên Infineon
Doranî OptiMOS™
Pakêt Tape & Reel (TR)

Kasêta Birîn (CT)

Digi-Reel®

Rewşa hilberê Jîr
Tîpa FET N-Channel
Teknolocî MOSFET (Oksîdê Metal)
Avêtin ber voltaja çavkaniyê (Vdss) 30 V
Niha - Berdewam Drain (Id) @ 25°C 23A (Ta), 100A (Tc)
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 10mA
Barkirina Deriyê (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance Input (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 15 V
Taybetmendiya FET -
Belavkirina hêzê (Max) 2,5W (Ta), 48W (Tc)
Germahiya xebitandinê -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Çiyayê Rûyê
Supplier Device Package PG-TDSON-8-6
Pakêt / Case 8-PowerTDFN
Hejmara Hilbera Bingehîn BSC0902

Belge & Medya

TÎPÊ ÇAVKANÎ GIRÊK
Datasheets BSC0902NSI
Belgeyên din ên têkildar Part Hejmara Rêbernameya
Hilbera Taybetmendî Pergalên Pêvajoya Daneyê
Daneyên HTML BSC0902NSI
Modelên Simulasyonê MOSFET OptiMOS™ 30V N-Channel Spice Model

Tesnîfkirinên Jîngeh & Export

ATTRIBUTE TERÎF
Rewşa RoHS ROHS3 Compliant
Asta hestiyariyê (MSL) 1 (Bêsînor)
Rewşa REACH REACH Bêbandor
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Çavkaniyên Additional

ATTRIBUTE TERÎF
Navên din BSC0902NSICT-ND

SP000854380

BSC0902NSITR-ND

BSC0902NSITR

BSC0902NSIATMA1DKR

BSC0902NSIATMA1CT

BSC0902NSICT

BSC0902NSIDKR-ND

BSC0902NSIATMA1TR

BSC0902NSI

BSC0902NSIDKR

Pakêta Standard 5000

Transîstor amûrek nîvconduktorê ye ku bi gelemperî di amplifikatoran an guheztinên elektronîkî yên kontrolkirî de tê bikar anîn.Transîstor blokên avahîsaziyê yên bingehîn in ku xebata komputer, têlefonên desta û hemî çerxên elektronîkî yên nûjen birêkûpêk dikin.

Ji ber leza bersivê ya bilez û rastbûna wan a bilind, transîstor dikarin ji bo cûrbecûr fonksiyonên dîjîtal û analog, di nav de amplifikasyon, veguheztin, regulatorê voltajê, modulasyona sînyalê û oscilatorê werin bikar anîn.Transîstor dikarin bi serê xwe an jî li deverek pir piçûk werin pak kirin ku dikare 100 mîlyon an zêdetir transîstor wekî beşek ji çerxa yekbûyî bigire.

Li gorî lûleya elektronê, transîstor gelek avantajên xwe hene:

Parçeyek vexwarin tune

Çiqasî boriyek baş be jî, ew ê hêdî hêdî ji ber guheztina atomên katodê û rijandina hewaya kronîk xirab bibe.Ji ber sedemên teknîkî, transîstor dema ku ew yekem hatin çêkirin heman pirsgirêk hebûn.Digel pêşveçûnên di materyalan de û di gelek aliyan de çêtirkirin, transîstor bi gelemperî 100 û 1000 carî ji lûleyên elektronîkî dirêjtir dimînin.

Hêza pir hindik dixwe

Ew tenê yek ji deh an bi dehan yek ji lûleya elektronê ye.Ne hewce ye ku filamentê germ bike da ku elektronên belaş mîna lûleya elektronê hilberîne.Radyoyek transîstor tenê hewceyê çend bataryayên hişk in ku salê şeş ​​mehan guhdarî bikin, ev yek ji bo radyoya lûleyê dijwar e.

Ne hewce ye ku pêşî germ bikin

Hema ku hûn wê vekin, bixebitin.Mînakî, radyoya transîstor gava ku tê vemirandin zû diteqe, û televîzyonek transîstor gava ku tê vemirandin wêneyek saz dike.Amûrên lûleya valahiya nikarin wiya bikin.Piştî bootkirinê, demek bisekinin ku deng bibihîzin, wêneyê bibînin.Eşkere ye ku di leşkerî, pîvandin, tomarkirin û hwd de, transîstor pir bi avantaj in.

Bi hêz û pêbawer

100 carî ji lûleya elektronê pêbawertir, berxwedana şokê, berxwedana vibrasyonê, ku bi lûleya elektronê re bêhempa ye.Digel vê yekê, mezinahiya transîstorê tenê yek-dehê yek-sedê mezinahiya lûleya elektronê ye, berdana germa pir hindik, dikare ji bo sêwirana çerxên piçûk, tevlihev, pêbawer were bikar anîn.Her çend pêvajoya çêkirina transîstorê rast e, pêvajo sade ye, ku ji bo baştirkirina dendika sazkirinê ya pêkhateyan dibe alîkar.


  • Pêşî:
  • Piştî:

  • Peyama xwe li vir binivîse û ji me re bişîne