IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 Çîpa IC ya Nû ya Elektronîkî

şiroveya kurt:

E-nameyê ji me re bişînin Daxistina Dîrokê

Detail Product

Tags Product

IPD042P03L3 G
Moda zêdekirina kanala P Transîstora Bandora Zeviyê (FET), -30 V, D-PAK
Malbatên pir nûjen ên Opti MOS™ yên Infineon MOSFET-ên hêza p-kanala hene.Van hilberan bi domdarî daxwazên kalîteyê û performansê yên herî bilind di taybetmendiyên sereke yên sêwirana pergala hêzê de, wekî berxwedana li ser-dewletê û hêjmara taybetmendiyên hêja, bicîh tînin.

Kurteya Taybetmendiyan
Moda zêdekirinê
Asta mantiqê
Avalanche nirxandin
Guhertina bilez
Dv/dt nirxand
Pb-free-platting
Lihevhatî RoHS, bê halojen
Li gorî AEC Q101 bi kalîte
Serlêdanên Potansiyel
Fonksiyonên Rêveberiya Hêzê
Kontrola motorê
Li-board charger
DC-DC
Serfkaran
Wergêrên asta mantiqê
Hêza ajokarên deriyê MOSFET
Serlêdanên din ên veguherînê

Specifications

Taybetmendiya Hilberê	Nirxa Taybetmendiyê
Çêker:	Infineon
Kategoriya Berhemê:	MOSFET
RoHS:	Details
Teknolocî:	Si
Şêweya Mountkirinê:	SMD/SMT
Pakêt / Doz:	TO-252-3
Polarîteya Transîstor:	P-Channel
Hejmara Kanal:	1 Kanal
Vds - Voltaja Veqetandina Çavkaniya Drain:	30 V
Nasname - Herikîna Barkirina Berdewam:	70 A
Rds On - Berxwedana Drain-Source:	3,5 mOhm
Vgs - voltaja dergeh-çavkaniyê:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - voltaja sînorê dergeh-çavkaniyê:	2 V
Qg - Xerca dergehê:	175 nC
Germahiya xebitandinê ya herî kêm:	- 55 C
Germahiya xebitandinê ya herî zêde:	+ 175 C
Pd - Belavkirina hêzê:	150 W
Moda kanalê:	Enhancement
Navê Bazirganî:	OptiMOS
Pakkirin:	Reel
Pakkirin:	Cut Tape
Pakkirin:	MouseReel
Nîşan:	Teknolojiyên Infineon
Veavakirin:	Azeb
Dema Payîzê:	22 ns
Veguhastina Pêşverû - Min:	65 S
Bilindî:	2,3 mm
Dirêjî:	6,5 mm
Tîpa hilberê:	MOSFET
Dema Rabûnê:	167 ns
Doranî:	OptiMOS P3
Hejmara pakêta kargehê:	2500
Binkategorî:	MOSFETs
Tîpa Transîstor:	1 P-Channel
Demjimêra Derengiya Vemirandinê ya Tîpîkî:	89 ns
Demjimêra Derengiya Çalakî ya Tîpîkî:	21 ns
Berî:	6,22 mm
Beş # Navnav:	IPD42P3L3GXT SP000473922 IPD042P03L3GBTMA1
Giraniya yekîneyê:	0,011640 oz